避免制程期间电荷所影响的方法、制造方法与集成电路

摘要

本发明为用于防止存储器系统(例如，NAND闪存)受到制程期间电荷的影响的系统、方法、电路与包含计算机可读取存储介质(computer‑readable mediums)的装置。该方法包含：形成第一连线与第二连线，其中第一连线用以将二极管的第一节点连接至与即将被制造的一个或多个存储单元耦接的存储单元连接线，且第二连线用以将二极管的第二节点连接至控制电路。据此，在制造存储器时，累积于存储单元上的制程期间电荷经由导通路径而被放电至接地端。其中，导通路径是由因制程期间电荷所引起的第一电压而对二极管顺向偏压，并据以致能控制电路将电流导通至接地端所形成；以及，在制造存储器与存储器执行操作的同时，将第二电压施加于控制电路而对该二极管逆向偏压并因而关闭导通路径。