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公开/公告号CN110021614A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 豪威科技股份有限公司;
申请/专利号CN201811441725.9
发明设计人 渡辺一史;郑荣友;熊志伟;戴森·H·戴;林赛·格朗;
申请日2018-11-29
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人刘媛媛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 11:50:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20181129
实质审查的生效
2019-07-16
公开
机译: 有源像素图像传感器,具有可选的源极跟随器和常见的源极放大器模式
机译: 源跟随器设备可增强图像传感器性能
机译: 具有JFET源极跟随器的图像传感器和图像传感器像素
机译:使用有源跟随增益特性的源极跟随器电路的高灵敏度CCD图像传感器
机译:使用有源负载的源极跟随器结构的有机发光二极管硅像素像素电路,用于微型显示器
机译:集成的源极跟随器,用于读出硅传感器阵列
机译:一种WDR CMOS图像传感器,采用可重新配置的源极跟随器,利用像素内电容变化,用于弱光应用
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:基于便携式高速近红外成像装置的药物共混过程的图像监测和终点的确定该便携式近红外成像装置基于带有高速和高分辨率光电二极管阵列检测器的多色仪型近红外光谱仪
机译:从源跟随器,光电二极管暗电流和CMOS图像传感器中的栅极感测节点泄漏的随机电报噪声
机译:亚阈值复位工作的光电二极管型CmOs有源像素图像的低光性能分析与增强