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袁菲芳;
高频; MOSFET; 寄生电容; 源极跟随器; 极间电容;
机译:分析在低温下使用渐变沟道SOI nMOSFET实现的源极跟随器缓冲器
机译:MOSFET的栅极到漏极和漏极到源极的寄生电容对E / F 3 sub>类功率放大器的性能的影响
机译:通道长度对渐变通道SOI nMOSFET实现的源极跟随缓冲器性能的影响
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:使用MOSFET栅极到漏极和漏极 - 源寄生电容的负载独立式-E逆变器设计
机译:双极ECL / EFL(发射极耦合逻辑/发射极 - 跟随器 - 逻辑)电路的延迟建模
机译:精密MOSFET电阻电路-使用一对漏极和源极耦合的MOSFET和相关的源极跟随器
机译:改进分立MOSFET的高频操作-通过去除漏极和栅极之间的外部寄生电容,通过将外部栅极触点安装在源极触点上方来实现
机译:具有由源极跟随器输入晶体管和经由偏置线选择晶体管的偏置电流部分形成的源极跟随器布置的辐射检测器和方法
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