III族氮化物结构生长用成核层

摘要

本发明中描述了用于III族氮化物结构的生长的成核层以及用于使所述成核层生长的方法。一种半导体可包括硅衬底和位于所述硅衬底上方的成核层。所述成核层可包括硅和深能级掺杂剂。所述半导体可包括形成在所述成核层上方的III族氮化物层。所述硅衬底和所述成核层中的至少一个可包括电离污染物。此外，所述深能级掺杂剂的浓度至少和所述电离污染物的浓度一样高。