公开/公告号CN110092807A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国医学科学院药物研究所;
申请/专利号CN201810089336.8
申请日2018-01-30
分类号C07H19/12(20060101);C07H1/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 100050 北京市西城区南纬路甲2号
入库时间 2024-02-19 11:41:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
公开
公开
机译: 一种制备溅射的方法-由高纯磁导率低的钴制成的靶
机译: 一种低low含量和高纯四氯化-的四氯化锆的制备方法。
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