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公开/公告号CN109919850A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201811539734.1
发明设计人 石立龙;王一兵;
申请日2018-12-11
分类号G06T5/00(20060101);G06T3/40(20060101);G06T3/60(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人刘美华;尹淑梅
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2024-02-19 11:41:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-21
公开
机译: QIS传感器的QIS高对比度结构光图案
机译: QIS传感器的高对比度结构光图案
机译:用于光氧传感器的可光图案化的聚合物膜
机译:通过电荷转移猝灭剂的降解,在量子点薄膜内进行光致发光的高对比度光图案化
机译:自组织螺旋上层结构的光平稳RGB选择性反射,用于连续的光图案形成
机译:用于快速结构光范围成像的高对比度色带图案
机译:使用基于结构化光的基于摄像机/投影仪的文档/物体捕获系统:反射率图图像质量评估以及结构化光图案和分析算法的设计。
机译:快速结构光范围的高对比度彩色条纹图案 成像
机译:用于气相化学微传感器和阵列的吸附性聚合物和光致图案化薄膜