首页> 中国专利> 一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法

一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法

页面导航

摘要

一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法，由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成，上下氧化钽层成分均为TaOx，其中2

1. 一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109888092A . 2019-06-14
2. 一种基于氧化锌量子点的多值阻变存储器及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN110504357A . 2019-11-26
3. A catalyst composition for reducing nitrogen oxides based on tantalum, vanadium, niobium, copper or antimony (NITROGEN OXIDE REDUCING CATALYST COMPOSITIONS BASED ON TANTALUM, VANADIUM, NIOBIUM, COPPER OR ANTIMONY) [P] . 韩国专利： KR970706888A . 1997-12-01

机译：一种基于钽，钒，铌，铜或锑的还原氮氧化物的催化剂组合物（基于钽，钒，铌，铜或锑的氧化氮还原催化剂组合物）
4. Tantalum oxo-alkoxo complex, method for producing the same, and method for producing a tantalum oxide film [P] . 日本专利： JP6240496B2 . 2017-11-29

机译：氧化钽-烷氧基钽配合物，其制备方法和氧化钽膜的制备方法
5. TANTALUM OXO-ALKOXO COMPLEX, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND METHOD OF MAKING TANTALUM OXIDE FILM [P] . 日本专利： JP2015124159A . 2015-07-06

机译：氧化钽-氧化铝络合物，其制备方法和氧化钽膜的制备方法