等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备

摘要

本发明涉及半导体设备制造技术领域，具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备，包括：腔室，设有进气口；第一电极板和第二电极板，相向间隔设置在腔室内部，且第一电极板与射频电源连接，第二电极板接地，第一电极板上成型有多个允许通过进气口进入腔室中的气体通过的第一通孔；多个移动组件，移动组件包括可在第一电极板表面运动的板体和与板体连接、用于驱动板体运动的驱动件，板体具有在驱动件的作用下运动至部分覆盖第一通孔的遮挡位置和在驱动件的作用下运动至使第一通孔完全暴露的敞开位置。本发明提供了一种不需开腔操作即可实时改变腔室中的气体相对浓度的等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备。