具有接触增强层的FDSOI半导体装置以及制造方法

摘要

本发明涉及具有接触增强层的FDSOI半导体装置以及制造方法，其中，形成接触的方法包括：形成由浅沟槽绝缘体区隔开的多个晶体管装置，晶体管装置包括半导体衬底，位于半导体块体衬底上的埋置绝缘体层，位于埋置绝缘体层上的半导体层，位于半导体层上的高k金属栅极堆叠以及位于高k金属栅极堆叠上方的栅极电极，位于半导体层上的抬升式源/漏区，以及位于抬升式源/漏区及栅极电极上方的硅化物接触层；在硅化物接触层上设置层间介电堆叠并平坦化层间介电堆叠；穿过层间介电堆叠至抬升式源/漏区上图案化多个接触；以及对于接触的至少其中一些，在接触上方图案化横向延伸接触区，横向延伸接触区延伸于邻近相应抬升式源/漏区的浅沟槽绝缘体区上方。