一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，包含如下的工艺步骤：第1步，在完成锗硅外延淀积之后，再淀积一层氧化硅；2步，进行牺牲发射极窗口的氮化硅淀积；第3步，牺牲发射极窗口的氮化硅刻蚀；第4步，进行选择性锗硅外基区的生长；第5步，完成锗硅外基区的刻蚀之后，去除牺牲发射极窗口内的氮化硅。本发明所述的锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，通过将牺牲发射极窗口多晶硅替换为氮化硅，大大简化了工艺流程，同时在后续去除该牺牲层时也不会造成残留问题，并形成更好的器件形貌。