以钌衬垫改善铜电迁移的经掺杂选择性金属覆盖

摘要

本公开内容的实施方式涉及用于在基板中形成结构的改良方法。在一个实现方式中，所述方法包括下列步骤：在基板中形成凹部；在基板的暴露表面和凹部的暴露表面上形成阻挡层；在阻挡层上形成中间层；在中间层上形成金属填充层并过度填充(overfill)凹部；平坦化金属填充层以暴露阻挡层、中间层、以及基板的顶表面；在金属填充层上选择性地形成钴层；和将基板暴露于含铝前驱物以在钴层的至少顶表面上选择性地形成钴‑铝合金层。