FinFET中布图效应减缓

摘要

描述了减缓布图效应的多栅极器件和制造方法。在制造诸如FinFET器件之类的多栅极半导体器件的常规工艺中，可以使用长隔离切口掩模。这可以导致不希望的布图效应。为了减缓或消除布图效应，提出了其中层间电介质(ILD)层在制造工艺期间在栅极切口位置处保留完整的制造方法。