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用于快速估计场效应晶体管阵列中的依赖布图的阈值电压变化的方法

摘要

一种用于估计集成电路布图中由于布图引起的阈值电压的变化的自动化方法。该方法开始于选择供分析的布图内的扩散区域的步骤。接着,该系统识别所选择的区域上的Si/STI边和沟道区域以及它们的关联的栅极/Si边。接着,识别每个标识的沟道区域中的阈值电压变化,其进一步需要以下步骤:计算由于纵向上的影响造成的阈值电压变化;计算由于横向上的影响造成的阈值电压变化;以及合并该纵向和横向变化以提供整体变化。最后,通过合并各个沟道变化来确定总变化。

著录项

  • 公开/公告号CN101681386A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新思科技有限公司;

    申请/专利号CN200880014235.9

  • 发明设计人 V·莫罗兹;D·普拉玛尼克;

    申请日2008-01-17

  • 分类号G06F17/50;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 23:48:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20100324 申请日:20080117

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-05-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20080117

    实质审查的生效

  • 2010-03-24

    公开

    公开

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