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改善DRAM中灵敏放大器读稳定性的读辅助电路、方法以及灵敏放大器

摘要

为了改善灵敏放大器读稳定性,本发明提供了一种改善灵敏放大器读稳定性的读辅助电路方法以及灵敏放大器。其中,读辅助电路包括NMOS管N6,NMOS管N6的源端接负电压VNWL,门端接控制信号NSET2,漏端用于接灵敏放大器中低电压下拉管N2的漏端。本发明在CSL pulse期间,首先将所述NOMS管N2管关掉,将所述NMOS管N6打开,使得NCS和BL_N被充至负电压VNWL;然后将灵敏放大器中与SAP1T连接的NMOS管N4打开,将灵敏放大器中与SAP2T连接的NMOS管N5关掉,使PCS和BL被充至VOD,使得BL和BL_N之间的电压差进一步增大,提高了灵敏放大器抵御耦合效应的能力。

著录项

  • 公开/公告号CN109817263A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811632564.1

  • 发明设计人 熊保玉;段会福;张颖;

    申请日2018-12-29

  • 分类号

  • 代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人赵逸宸

  • 地址 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

  • 入库时间 2024-02-19 10:42:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/08 申请日:20181229

    实质审查的生效

  • 2019-05-28

    公开

    公开

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