大容量DRAMの技術動向とサブ1-V DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式

摘要

はじめに大容量DRAMの技術動向を述べる．次にサブ1-V DRAM実現に不可欠な低しきい値高感度動的制御センスアンプを提案する．提案センスアンプは内蔵する高感度アンプを動的制御することにより，高速センス動作，高速I/O駆動，低リーク動作を可能とする．70nmプロセスにおいて128MbのDRAMコアを試作し，アレイ電圧0.9Vにおいて，16.4nsのロウアクセス時間（tRCD），14.3nsのリードアクセス時間（tAA）で動作することを確認した．また提案センスアンプは低しきい値MOSを利用するため，そのしきい値電圧バラツキを低減できる，すなわち，センスアンプのオフセットを低減できるため将来のサブ1-V DRAM動作実現に非常に有望な技術である．