公开/公告号CN109856520A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-07
原文格式PDF
申请/专利权人 泰瑞科微电子(淮安)有限公司;
申请/专利号CN201711224427.X
发明设计人 不公告发明人;
申请日2017-11-29
分类号
代理机构
代理人
地址 211700 江苏省淮安市盱眙县经济开发区新海大道2号
入库时间 2024-02-19 10:37:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-07
公开
公开
机译: 半导体结构包括用于低功耗应用的第一FinFET器件和用于高功率应用的第二个FinFET器件
机译: 用于高功率应用的具有高沟道迁移率和高击穿电压的半导体器件
机译: 通过在其上放置半导体芯片来制造高功率微波半导体器件的芯片载体