首页> 中国专利> 一种高质量CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法

一种高质量CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高质量CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。该方法首先利用旋涂法制备一层PbI2薄膜,然后在PbI2薄膜表面分次旋涂CsBr甲醇溶液,经后退火过程形成钙钛矿。在该过程中,通过控制CsBr沉积次数,可以有效地调控CsPbI2Br薄膜的成膜质量及相成分。同时为了能够让PbI2更有效地转化为钙钛矿、避免过多PbI2的残留,引入了绿色反溶剂对PbI2薄膜进行处理,通过构建具有随机晶粒取向的微/纳多孔中间相薄膜,使CsBr分子能够更有效地扩散到PbI2薄膜中,进而实现CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜更完全、更高效的转化,其制备的无机钙钛矿薄膜厚度、形貌以及相成分可控,光吸收好。该方法工艺简单,成本低廉,易于工业化,有利于推动全无机钙钛矿器件的发展。

著录项

  • 公开/公告号CN109638162A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西理工大学;

    申请/专利号CN201811536770.2

  • 发明设计人 韩修训;董琛;

    申请日2018-12-14

  • 分类号H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构62100 甘肃省知识产权事务中心;

  • 代理人陶涛

  • 地址 341000 江西省赣州市章贡区红旗大道86号

  • 入库时间 2023-06-18 06:39:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/42 申请日:20181214

    实质审查的生效

  • 2019-04-16

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号