首页> 中国专利> 一种三元正极材料前驱体及调控三元正极材料前驱体晶面生长的方法

一种三元正极材料前驱体及调控三元正极材料前驱体晶面生长的方法

摘要

本发明公开了一种三元正极材料前驱体及调控三元正极材料前驱体晶面生长的的方法,属于化学储能电池领域。所述三元正极材料前驱体的化学式为NixCoyMn(1‑x‑y)(OH)2;其中,0+扩散速度的正极材料,进而表现出不同的电化学性能。

著录项

  • 公开/公告号CN109742337A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201811493177.4

  • 发明设计人 王敬;王冉;陈实;苏岳锋;吴锋;

    申请日2018-12-07

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/50(20100101);H01M4/52(20100101);H01M10/0525(20100101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2024-02-19 10:24:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20181207

    实质审查的生效

  • 2019-05-10

    公开

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