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基于单层双面覆层结构的Fabry-Perot谐振腔宽带高增益微带天线

摘要

基于单层双面覆层结构的Fabry‑Perot谐振腔宽带高增益微带天线,属于天线的无线通信领域。本发明包括底层的金属接地板、天线介质底板、U型槽天线辐射贴片和上层的单层双面频率选择表面。金属接地板、天线介质底板和U型槽天线辐射贴片无缝层叠,单层双面频率选择表面由单层覆层介质基板、正方形环状孔径结构和十字栅网结构组成。本发明在传统微带天线的金属贴片上刻蚀U形槽缝隙,实现天线结构带宽的提升,并保证天线的主辐射方向在其正上方,符合Fabry‑Perot谐振腔天线的设计要求,在此基础上设计具备正相位梯度的单层双面频率选择表面模型,增加Fabry‑Perot谐振腔天线的增益带宽。本发明设计简单,理解容易,使用面广,可移植性强,适合Fabry‑Perot谐振腔天线的高增益和宽带特性。

著录项

  • 公开/公告号CN109802232A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工程大学;

    申请/专利号CN201910194837.7

  • 申请日2019-03-14

  • 分类号H01Q1/38(20060101);H01Q1/48(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q15/00(20060101);H01Q19/10(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

  • 入库时间 2024-02-19 10:10:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q1/38 申请日:20190314

    实质审查的生效

  • 2019-05-24

    公开

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