一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池，由下至上依次包括背电极、GaAs片、GaAs纳米柱、石墨烯层、正电极。所述GaAs纳米柱高度为500‑3000nm,直径为15～100nm。本发明还公开了一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池的制备方法。本发明通过生长纳米柱，增大肖特基结的面积，提高光的利用效率，实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单，成本低。