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三维双连通多孔铜原位生长Cu2-xS电极材料的制备方法

摘要

一种三维双连通多孔铜原位生长Cu2‑xS电极材料的制备方法,包括如下步骤:1)配制铸膜液;2)刮膜;3)烧结;4):称取质量比为3∶1~5∶1~2的NaOH、巯基乙醇和硫粉于三口烧瓶中,并加入无水乙醇100ml,将步骤3)中获得的平板铜膜放入三口烧瓶中并磁力搅拌24h,得到原位生长Cu2‑xS电极材料,其中平板铜膜与硫粉的质量比为1∶1~0.04。本发明所述的三维双连通多孔铜原位生长Cu2‑xS电极材料的制备方法简单且参数易于控制;可通过调控铜膜制备参数获得不同孔径分布和尺寸的多孔铜膜,进而可制备出不同负载量的Cu2‑xS负极材料;制备的电极材料具有较好的韧性、较高孔隙率、较高覆载率。

著录项

  • 公开/公告号CN109894620A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN201910158899.2

  • 申请日2019-02-28

  • 分类号B22F3/26(20060101);B22F3/11(20060101);C01G3/12(20060101);H01M4/58(20100101);H01M4/62(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300000 天津市西青区宾水西道延长线399号

  • 入库时间 2023-06-18 06:34:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B22F3/26 申请日:20190228

    实质审查的生效

  • 2019-06-18

    公开

    公开

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