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一种上转换荧光成像系统及上转换荧光的成像方法

摘要

本发明公开了一种上转换荧光成像系统,该系统的光源发射的入射光的波长范围为1000nm至2500nm,该波长范围处于近红外II区和近红外III区,该波段的红外光在样品中的穿透深度比较深;通过处于近红外II区或近红外III区的入射光激发,预先在样品中进行标记的上转换荧光纳米颗粒可以发出处于近红外区的出射光,该出射光在样品中的穿透深度同样较深;并且由于光源发出的入射光的波长包括近红外II区和近红外III区,该入射光极不容易引起样品的自发荧光现象,从而可以有效的增加荧光成像深度和灵敏度;本发明还公开了一种上转换荧光的成像方法,同样具有上述有益效果。

著录项

  • 公开/公告号CN109813687A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201711174200.9

  • 发明设计人 吴爱国;俞樟森;杨方;

    申请日2017-11-22

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗满

  • 地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

  • 入库时间 2024-02-19 10:06:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/64 申请日:20171122

    实质审查的生效

  • 2019-05-28

    公开

    公开

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