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一种双MZI多电平PAM信号全光整形器及其设计方法

摘要

本发明涉及光纤通信技术领域,具体涉及一种双MZI多电平PAM信号全光整形器及其设计方法,其中,所述全光整形器包括前后连接的匹配可调光放大器和双MZI整形单元,所述双MZI整形单元的上臂为内嵌MZI模块,下臂设有光纤,所述内嵌MZI模块的上下两臂分别设有同长度的光纤;所述双MZI整形单元还包括输入耦合器C1和输出耦合器C3,所述内嵌MZI模块还包括输入耦合器C4和输出耦合器C2。本发明提供了一种双MZI结构的全光整形器,通过进行参数设计,有效解决了多电平PAM信号的劣化问题,丰富了多电平PAM信号在全光整形领域的实现方式,并确保了多电平PAM光信号在光纤通信系统中的长距离有效传输,而且通过增加参考功率点的值,可进一步提升整形性能。

著录项

  • 公开/公告号CN109586794A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉光迅科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201811367044.2

  • 申请日2018-11-16

  • 分类号H04B10/293(20130101);H04B10/25(20130101);H04B10/54(20130101);

  • 代理机构44341 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人何婷

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

  • 入库时间 2024-02-19 09:53:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04B10/293 申请日:20181116

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

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