一种N掺杂SiC单晶纳米孔道阵列及其制得的光电催化阳极

摘要

本发明涉及一种N掺杂SiC单晶纳米孔道阵列，具体涉及一种N掺杂SiC单晶纳米孔道阵列制得的光电催化阳极的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明提出了一种N掺杂SiC单晶纳米孔道阵列，将该N掺杂SiC单晶纳米孔道阵列应用于N掺杂SiC纳米孔道阵列光电催化阳极，在可见光下具有高的光电流密度(高达～2.41mA/cm2)、快的光响应和宽的光谱响应范围。