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公开/公告号CN109728011A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201811139872.0
发明设计人 周耕宇;江伟杰;王铨中;曾建贤;桥本一明;
申请日2018-09-28
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人蒋林清
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
入库时间 2024-02-19 09:44:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20180928
实质审查的生效
2019-05-07
公开
机译: 具有背扩散掺杂的背照式(BSI)图像传感器
机译: 具有全局快门方案的背照式(BSI)图像传感器
机译:背照式ToF系统Sony将距离图像传感器商业化
机译:具有同类最佳的半导体类的低光灵敏度背照式工业CMOS图像传感器
机译:具有基于SOI的全耗尽检测器技术的背照式飞行时间图像传感器,适用于LiDAR应用
机译:背照式2.74μm像素间距全局快门CMOS图像传感器,带电荷域存储器,可实现10k e饱和信号
机译:巢式活动的时空格局的三刺棘背式Gasterosteus aculeatus(forma leiura)的繁殖结构
机译:使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
机译:采用标准BsI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的超过90 dB场景内单次曝光动态范围CmOs图像传感器
机译:背照式百万像素CmOs图像传感器