通过共振耦合实现电磁场增强的纳米结构及其制造方法

摘要

通过共振耦合实现电磁场增强的纳米结构，包括基底，在基底上设置有纳米光栅，在基底和纳米光栅上沉积有金属层，进而形成纳米缝隙，所述纳米光栅的周期为400nm～1000nm，光栅高度100nm～400nm，两条相邻光栅间的狭缝宽度为4nm～40nm。制造该纳米结构时，首先初步确定光栅结构的周期范围，再通过计算机模拟确定最终的光栅结构参数，最后采用微纳加工技术进行制造。本纳米结构通过同时激发多种不同模式的共振并将其耦合到一起，以获得强烈局域的电磁场，从而可以实现超高的电磁场增强效果，且制造的纳米结构均一性好。