公开/公告号CN109585451A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201810997733.5
申请日2018-08-29
分类号H01L27/11524(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人韩宏;陈松涛
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2024-02-19 09:40:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-05
公开
公开
机译: 多晶硅掺杂控制的3D NAND蚀刻
机译: 蚀刻对非掺杂多晶硅具有高选择性的掺杂多晶硅的方法
机译: 蚀刻对非掺杂多晶硅具有高选择性的掺杂多晶硅的方法