法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/08 申请日:20181227
实质审查的生效
2019-04-26
公开
公开
机译: 具有发射极,基极发射极,基极阴极和阴极的区域的晶闸管的制造方法;以及带有发射极的晶闸管,发射极的基极,电子辐射辐射的基极阴极
机译: 功率半导体组件,例如具有集成二极管的GTO晶闸管-二极管区的二极管层带有多个区域,通过这些区域可以避免在阴极上关闭二极管的建立电压
机译: 的方法,用于制造具有隔离的电子阴极和具有在第一电极和第二电极之间的薄介电层的电容器的veldeffecttransistoren的集成式半激磁二极管。