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任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法、设备及介质

摘要

本发明公开了任意形状小孔平均电极化率密度的解析方法、设备及介质,所述方法包括:根据导电屏上待解析小孔的轮廓建立基于极坐标的轮廓函数ρ(θ),将待解析小孔的几何重心设为极坐标的原点;反复用半径为ρ(θ

著录项

  • 公开/公告号CN109657357A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201811567110.0

  • 发明设计人 刘洪颐;

    申请日2018-12-19

  • 分类号

  • 代理机构广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人颜希文

  • 地址 510630 广东省广州市天河区黄埔大道西平云路163号

  • 入库时间 2024-02-19 09:26:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20181219

    实质审查的生效

  • 2019-04-19

    公开

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