光侧面入射的蓝光增敏硅雪崩光电二极管阵列器件

摘要

光侧面入射的蓝光增敏硅雪崩光电二极管阵列器件，属于光电技术领域。解决了现有技术中可见光雪崩光电二极管对蓝光量子效率低的缺点，进一步提高其截止频率及增益。本发明的阵列器件，包括多个探测单元、多个隔离区和多个电极引线；多个探测单元按规则排布形成阵列，每个探测单元包括以阳极为中心轴从内至外依次设置阳极、衬底层、吸收层、场控层、雪崩层、非耗尽层和阴极，以及覆盖在上表面的透光层；隔离区设置在相邻的两个探测单元之间；电极引线设置在探测单元及隔离区的上表面，电极引线连接多个探测单元之间的电极，连接方式为串联、并联、先串联后并联或先并联后串联。该阵列器件蓝光灵敏度和量子效率高，截止频率和增益也较高。