一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明方法包括步骤：1）将强碱和过硫酸盐溶于去离子水，得到溶液A；2）将洁净的铜基体浸泡在溶液A中处理得到附着在铜基体上的氢氧化铜纳米线阵列；3）将水合肼用去离子水稀释，得到溶液B；4）氢氧化铜纳米线阵列在溶液B中处理，控制好处理时间，得到附着在铜基体上的氧化亚铜纳米线阵列。本发明制得的氧化亚铜纳米线直接生长在导电基体上，且排列整齐；一方面可以避免高分子粘结剂的使用，减少接触电阻；另一方面整齐的阵列结构可以为电子离子的流动提供最短路径。