法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20181221
实质审查的生效
2019-04-12
公开
公开
机译: 用于制造具有变形的沟道面积的集成电路和晶体管的半导体部件具有结晶半导体区域,栅电极,该栅电极形成在具有沟道面积的结晶半导体区域中
机译: 结构变形方法的计算机构件的变形模式分析方法结合变形模式分析方法的计算机程序,用于结构和记录介质的变形模式分析
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