具有直埋P型区的延伸漏极NMOS晶体管

摘要

本文中描述一种由绝缘体上半导体(SOI)晶片形成的N型延伸漏极晶体管。所述晶体管具有直埋P型区，所述直埋P型区通过在所述晶体管的漂移区正下方的位置处将P型掺杂剂选择性注入于所述晶片的半导体层中来形成。所述晶体管还包括位于P阱区中的源极以及漏极。所述直埋P型区与所述P阱区电气接触。所述N型漂移区、所述源极以及所述漏极同样位于由介电隔离包围的所述半导体层的一部分中。位于所述半导体层的所述部分下方的直埋介电层将所述半导体层的所述部分与位于所述直埋介电层下方的半导体衬底电隔离。