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具有带掺杂磁性层的磁性约瑟夫森结器件的存储器单元

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摘要

提供了包括磁性约瑟夫森结(MJJ)器件的存储器单元。MJJ器件(300)包括：自由磁性层(310)、非磁性层(320)和固定磁性层(312)。自由磁性层包括磁性合金，例如掺杂有钒、锆、钼或铪中的至少一个的镍铁。固定磁性层包括第二磁性合金，该第二磁性合金未被掺杂、或者具有比自由磁性层更低的掺杂量。

公开/公告号CN109478590A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-15

原文格式PDF
申请/专利权人微软技术许可有限责任公司;
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申请/专利号CN201780044204.7
发明设计人 T·F·安布罗斯;
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申请日2017-07-20
分类号H01L39/22(20060101);G11C11/44(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址美国华盛顿州
入库时间 2024-02-19 08:29:09

1. 具有带掺杂磁性层的磁性约瑟夫森结器件的存储器单元 [P] . 中国专利： CN109478590A . 2019-03-15
2. 具有改进的读写容限的电流驱动切换磁性存储单元及采用该单元的磁性存储器 [P] . 中国专利： CN101297371A . 2008-10-29
3. Memory cell having a magnetic Josephson junction device with a doped magnetic layer [P] . 美国专利： US9972380B2 . 2018-05-15

机译：具有具有掺杂的磁性层的磁性约瑟夫森结器件的存储单元
4. Magnetic tunnel junction device of memory device, has an upper structure having magnetic layer, and a lower structure having extrinsic vertical magnetization structures formed on magnetic layer and perpendicular magnetization layer [P] . 德国专利： DE102012105595A1 . 2013-02-14

机译：存储器件的磁性隧道结器件，其上部结构具有磁性层，下部结构具有在磁性层和垂直磁化层上形成的外部垂直磁化结构
5. MEMORY CELL HAVING A MAGNETIC JOSEPHSON JUNCTION DEVICE WITH DOPED MAGNETIC ALLOY LAYER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3488476A1 . 2019-05-29

机译：具有掺杂了磁性合金层的磁性JOSEPHSON结器件的存储单元