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用于减少集成电路中的非均匀老化的技术

摘要

本发明涉及用于减少集成电路中的非均匀老化的技术。一种集成电路包括:第一电路,其被配置成实现针对所述集成电路的用户设计;第二电路,其未被所述用户设计使用;以及配置电路,其通过导体网络将所述第二电路耦合在一起。所述第二电路中的晶体管响应于变化信号而接通和关断,所述变化信号在所述第一电路实现所述用户设计时传播通过所述第二电路且通过所述导体网络。

著录项

  • 公开/公告号CN109560791A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201811114266.3

  • 发明设计人 H.施密特;

    申请日2018-09-25

  • 分类号H03K3/03(20060101);H03K19/177(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张健;闫小龙

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 08:24:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-02

    公开

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