一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器

摘要

本发明公开一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器。其中，所述主振荡放大器包括：基于半导体激光器的主振荡器，用于产生基横模和单纵模的种子激光；基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器，用于对所述种子激光进行功率放大。本发明提供的1x1型单片集成式半导体主振荡放大器，主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上，主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大，有源区面积增加，增加了功率放大器的饱和输出功率，降低热效应对器件的影响，并能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。