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一种多瞬态故障影响下的纳米集成电路可靠性评估方法

摘要

本发明提供了一种多瞬态故障影响下的纳米集成电路可靠性评估方法,包括:第一步骤:建立待评估纳米集成电路的电路可靠度计算公式;第二步骤:确定可靠度计算公式中的零故障直流分量参数值;第三步骤:通过对待评估纳米集成电路进行单故障模拟以评估电路可靠度计算公式中的一阶主分量;第四步骤:对待评估纳米集成电路进行双故障模拟;第五步骤:对双故障模拟得到的数据进行概率统计分析,以评估电路可靠度计算公式中的二阶分量。

著录项

  • 公开/公告号CN109145480A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长沙理工大学;

    申请/专利号CN201811021001.9

  • 发明设计人 蔡烁;王伟征;余飞;邱佳;

    申请日2018-09-03

  • 分类号

  • 代理机构北京致科知识产权代理有限公司;

  • 代理人谢英

  • 地址 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号

  • 入库时间 2024-02-19 08:11:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180903

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

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