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公开/公告号CN109520996A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201811571204.5
发明设计人 张茜;窦文博;仇巍;亢一澜;许超宸;杜红志;
申请日2018-12-21
分类号
代理机构北京高沃律师事务所;
代理人程华
地址 300000 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2024-02-19 07:54:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/65 申请日:20181221
实质审查的生效
2019-03-26
公开
机译: 一种通过化学气相沉积(AP-CVD)在铜基板上生产石墨烯的方法和系统
机译: CVD石墨烯层压包含CVD石墨烯的方法,使用相同的电子设备制造相同的电极材料
机译:扭曲CVD双层石墨烯的拉曼光谱
机译:APS -APS 3月会议2017 - Event - 晶粒尺寸依赖性导热性通过拉曼光谱法的多晶硅扭曲双层石墨烯
机译:研究单层石墨烯,双层石墨烯和大块石墨拉曼光谱中G'带的几何方法
机译:CVD方法对双层石墨烯FET中电气运输性能的影响
机译:CVD石墨烯的金属氧化物生长,自旋进动测量和拉曼光谱
机译:利用Si峰分析识别CVD生长的多层石墨烯的层数
机译:仅以[Et2Ga-PEt2] 3为源,通过MO-CVD工艺生长的多晶间隙薄膜的拉曼光谱表征
机译:应用于原位p掺杂多晶硅LpCVD的设备建模方法比较