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CVD石墨烯的生长及拉曼光谱研究

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摘要

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 石墨烯的简介

1.3 CVD方法制备石墨烯的研究现状与分析

1.4 CVD双层石墨烯的研究现状与分析

1.5 CVD石墨烯/硅太阳能电池研究现状与分析

1.6 本文的主要研究内容

第2章 通过双氧水处理降低铜箔表面石墨烯形核密度

2.1 引言

2.2 通过双氧水处理降低铜箔表面石墨烯的形核密度

2.3 实验结果与讨论

2.4 本章小结

第3章 CVD双层石墨烯的拉曼光谱研究

3.1 引言

3.2 双层石墨烯拉曼表征

3.3 本章小结

第4章 CVD石墨烯/硅太阳能电池的制备及性能研究

4.1 引言

4.2 CVD石墨烯/硅太阳能电池的制备

4.3 实验结果与分析

4.4 本章小结

第5章 总结及展望

参考文献

硕士期间成果

致谢

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摘要

化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制备的石墨烯具有质量高、尺寸大、层数可控等优点,已成为石墨烯薄膜大规模生长的主要方法。石墨烯优异的电学性能、光学性能也使得其在光电领域有着广泛的应用前景。优化石墨烯的生长条件,降低铜箔表面石墨烯的形核密度是提高石墨烯质量的有效途径。在生长石墨烯的过程中,样品经常会出现双层或多层区域,而这些多层区域中石墨烯的层间堆垛方式,也就是层间扭转角度不尽相同。扭转角度的差异则会对石墨烯的电学、光学性质造成重要的影响。本论文首先探究了双氧水处理(包括溶液浓度及处理时间)对铜箔表面石墨烯形核密度的影响,并从铜箔表面含氧量和粗糙度这两个角度分析其影响机制。实验中发现双氧水溶液处理铜箔可以有效降低石墨烯的形核密度。另外,我们研究了双层石墨烯的层间扭转角度对其拉曼信号的影响,实现了双层石墨烯层间扭转角度及其分布的快速识别。通过理论计算,我们还证明了双层大角度石墨烯拉曼光谱中的D-like峰并不是由石墨烯中缺陷所导致的。最后我们利用石墨烯与n型重掺杂硅制备得到了太阳能电池,并通过增加石墨烯层数的方法,避免了石墨烯/硅太阳能电池中存在漏电流的现象,提高了器件的性能。

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