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一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法

摘要

本发明涉及一种基于光载流子辐射的半导体材料特性测量方法。解决现有半导体材料特性测量技术不足的问题。本发明的方法为1)函数信号发生器产生周期信号直接调制泵浦激光光源的驱动电压,将强度周期调制的激光经光束整形后均匀照射到样品表面,近红外相机探测并处理记录此时的光载流子辐射信号,得到锁相载流子辐射成像结果;2)将光束整形装置替换为光束聚焦装置,经调节后将光束聚焦到样品表面被测位置,样品产生光载流子辐射信号,经近红外相机探测并由计算机处理和记录此时的光载流子辐射信号,得到空间分辨光载流子辐射成像结果,通过对数据进行处理计算得到待测样品的特性参数;3)重复步骤2)得到待测样品不同指定位置处的特性参数。

著录项

  • 公开/公告号CN109142287A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安工业大学;

    申请/专利号CN201810986640.2

  • 发明设计人 王谦;刘卫国;

    申请日2018-08-28

  • 分类号

  • 代理机构西安新思维专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄秦芳

  • 地址 710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

  • 入库时间 2024-02-19 07:45:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/63 申请日:20180828

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

    公开

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