退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109594125A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社迪思科;
申请/专利号CN201811140126.3
发明设计人 饭塚健太吕;
申请日2018-09-28
分类号C30B29/60(20060101);B23K26/402(20140101);B23K26/53(20140101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人于靖帅;乔婉
地址 日本东京都
入库时间 2024-02-19 07:41:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-09
公开
机译: 通过施加激光束以形成第一生产历史,剥离层和第二生产历史从六方晶单晶锭生产晶片的方法
机译: 制造单晶硅和单晶硅晶片的方法,制造单晶硅的晶种,单晶硅锭和单晶硅晶片
机译: 硅样品的碳浓度评估方法,硅晶片制造过程的评估方法,硅晶片的制造方法,硅单晶锭的制造方法,硅晶锭和硅晶片
机译:晶种板间有意诱发的晶界对准单晶硅锭缺陷产生的影响
机译:成功生产可容纳四个晶片的太阳能电池硅锭单晶JST
机译:关于工业类单晶硅锭播种生长过程中晶片性能低下和晶体缺陷产生的根源
机译:考虑金刚晶锭晶锭的晶体取向,硅晶片的裂纹分散和强度
机译:通过电火花线切割加工对单晶碳化硅进行晶锭成形。
机译:连接AB6二元纳米晶超晶格内六方体纳米晶簇的盒控制融合中的粒子。
机译:关于工业类单晶硅锭晶种生长中低晶片性能和晶体缺陷产生的根源
机译:单晶钠β-氧化铝晶锭的电导率