公开/公告号CN109141518A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国矿业大学(北京);
申请/专利号CN201810748787.8
申请日2018-07-10
分类号
代理机构
代理人
地址 100083 北京市海淀区学院路丁11号
入库时间 2024-02-19 07:36:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-29
实质审查的生效 IPC(主分类):G01D21/02 申请日:20180710
实质审查的生效
2019-01-04
公开
公开
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏,以及至少一侧到另一侧的短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中使用具有带束偏转功能的带电粒子束检查器从带尖端到尖端短,尖端到侧面短测试和侧面到侧面短测试区域的单元中获得此类测量结果阶段
机译: 通过超声手段对材料厚度的测试对象进行非破坏性检查的方法,使用该方法的测试探头,超声测试探头,超声测试探头的控制单元以及用于该设备的设备通过超声手段对大材料厚度的测试对象进行非破坏性检查
机译: 一种测试半导体技术的方法LSI CMOS / SOI对暴露于重电荷粒子外部空间的单一破坏的抵抗力