科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109449162A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201811201049.8
发明设计人 张若芳;王恩博;杨号号;杨永刚;宋冬门;
申请日2018-10-16
分类号H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);
代理机构11449 北京成创同维知识产权代理有限公司;
代理人范芳茗;李向英
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2024-02-19 07:36:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/1157 申请日:20181016
实质审查的生效
2019-03-08
公开
机译: 3D存储器件和形成3D存储器件的方法
机译: 形成3D存储器设备和3D存储器件的方法
机译: 3D存储器设备和形成3D存储器件的方法
机译:1T1R电阻存储器件及其制造方法已获专利
机译:通过喷墨印刷方法制造的有机非易失性存储器件
机译:使用3D打印机创建火箭发动机:使用尖端制造技术和3D打印机制造火箭发动机零件的方法
机译:使用标准电极电位差的3值存储器件的制造
机译:基于氧化Ha的电阻式随机存取存储器件的制造与表征。
机译:通过模板化的自下而上生长制造的自组装纳米结构的电阻式开关存储器件
机译:3D打印,墨水铸造和微机械层压(3DPICLμm):制造生物微生物制造的制造方法
机译:表征锆钛酸铅(pZT)铁电薄膜和存储器件电气优先级的新方法。