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基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法

摘要

基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型核壳量子点。量子点壳层的导带能级低于量子点核层的导带能级,量子点壳层的价带能级低于量子点核层的价带能级,n型半导体膜的导带能级位于量子点壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型核壳量子点的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广,制得的光阳极光电转化效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN109448999A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北文理学院;

    申请/专利号CN201811286502.X

  • 申请日2018-10-31

  • 分类号

  • 代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人梁香美

  • 地址 441000 湖北省襄阳市襄阳区隆中路296号

  • 入库时间 2024-02-19 07:36:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/20 申请日:20181031

    实质审查的生效

  • 2019-03-08

    公开

    公开

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