一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构，假元胞区与金属化发射极相连，并不浮空；二是在假元胞上表面垂直延伸进器件形成多晶硅二极管结构，从而将P型半导体条与金属化发射极通过浮空欧姆接触与多晶硅二极管结构连接在一起，达到钳位P型半导体条电势的作用。在器件开启时，空穴电流对栅电容的充电作用被极大削弱，从而大大增加器件的栅极控制能力同时降低了器件的电磁干扰噪声。在器件导通时，二极管钳位P型半导体条的电势，抑制其对空穴的抽取作用，增强了器件的电导调制效应，降低了导通压降。