沟槽结隔离放大门极结构及含该结构的SiC光触发晶闸管

摘要

本发明公开了一种沟槽结隔离放大门极结构，包括在第三外延层之上依次制作有第四外延层、第五外延层；在主晶闸管区域的第四外延层上表面内嵌有n+门极接触；还包括沟槽结隔离，沟槽结隔离包括沟槽、结及沟槽中的填充物质；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在第五外延层的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜的高度低于凸台的上端面；在辅助晶闸管的第五外延层凸台上端面和主晶闸管的n+门极接触上端面分别覆盖有放大门极。本发明还公开了一种含有沟槽结隔离放大门极结构的SiC光触发晶闸管。本发明的结构，提高面积利用率，降低结处的峰值电场。