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一种场发射阴极电子源、阵列及电子发射方法

摘要

本发明实施例提供的一种场发射阴极电子源、阵列及电子发射方法,所述包括场发射阴极电子源:衬底、第一电极、第二电极、第一螺旋部和第二螺旋部。所述第一电极与所述第一螺旋部连接,所述第二电极与所述第二螺旋部连接;所述第一螺旋部与所述第二螺旋部相互环绕设置形成嵌套的双螺旋结构,并用于发射电子;所述第一电极、所述第二电极、所述第一螺旋部和所述第二螺旋部均设置在所述衬底的上表面。本发明的第一电极、第二电极、第一螺旋部和第二螺旋部形成单层结构,降低了加工控制难度,提高了稳定性,适合大规模阵列集成。

著录项

  • 公开/公告号CN109300750A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201811006225.2

  • 发明设计人 卢维尔;夏洋;赵丽莉;

    申请日2018-08-30

  • 分类号H01J1/304(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人房德权

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2024-02-19 07:20:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J1/304 申请日:20180830

    实质审查的生效

  • 2019-02-01

    公开

    公开

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