法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/367 申请日:20181205
实质审查的生效
2019-02-15
公开
公开
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 具有用于冷却剂的集成腔室的半导体装置以及用于接收这种半导体器件的具有用于冷却剂和插座装置的集成腔室的半导体装置的方法
机译: 用于半导体器件的冷却装置和用于制造用于半导体冷却装置的烧结复合材料的方法-