基于Si-Si-Si-玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺

摘要

本发明公开了一种基于Si‑Si‑Si‑玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺，该MEMS谐振式压力传感器从顶到底的顺序是Si压力敏感层、Si谐振器层、Si坑槽衬底层、玻璃坑槽衬底层，Si压力敏感层与Si谐振器层、Si谐振器层与Si坑槽衬底层采用Si‑Si键合工艺键合；Si坑槽衬底层与玻璃坑槽衬底层采用Si‑玻璃阳极键合工艺键合。其中Si压力敏感层与Si谐振器层之间有第一SiO2层，Si谐振器层与Si坑槽衬底层之间有第二SiO2层。本发明的MEMS压力传感器，降低了MEMS微纳加工与高真空封装工艺难度、有效消减残余应力与热应力、提高真空参考腔的可靠度和真空度及其及长期维持能力、提高温度补偿准确度，实现压力传感器综合精度及稳定性的提升。