公开/公告号CN109119465A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体组件工业公司;
申请/专利号CN201810669738.5
发明设计人 蒂埃里·姚;
申请日2018-06-26
分类号H01L29/10(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/78(20060101);H01L27/11526(20170101);H01L27/11573(20170101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人章蕾
地址 美国亚利桑那州
入库时间 2024-02-19 07:11:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/10 申请日:20180626
实质审查的生效
2019-01-01
公开
公开
机译: 用于嵌入式存储器应用的横向扩散MOSFET
机译: 用于嵌入式存储应用的横向扩散MOSFET
机译: 用于开关应用的卧式双扩散MOSFET